|
|
課程簡介 Course Introduction
|
|
開課年度學期 Year / Term
|
114 學年度 第 1 學期
|
|
開課班級 Department
|
電機工程學系 電機二
|
|
授課方式 Instructional Method
|
課堂教學 、 中文
|
|
課程電腦代號 Course Reference Number
|
182025
|
|
課程名稱(中文) Course Title(Chinese)
|
電子學(一)
|
|
課程名稱(英文) Course Title(English)
|
Electronics(I)
|
|
學分數/時數 Credit Hours
|
3 /
4
|
|
必(選)修 Requirement / Elective Course
|
必修
|
|
授課老師 Instructor
|
許世昌
|
|
助教 Teaching Assistant
|
|
|
上課時間 Meeting Time
|
星期二，節次3、4、5；星期三，節次6
|
|
上課教室 Classroom
|
ZA207
|
|
Office Hours
|
|
| 獲獎及補助情形 Awards and Grants |
|
|
| 聯合國永續發展目標 (SDGs跨域類別) Sustainable Development Goals, SDGs |
|
SDGs 01.
|
終結貧窮：消除各地一切形式的貧窮
|
|
SDGs 08.
|
合適的工作及經濟成長：促進包容且永續的經濟成長，讓每個人都有一份好工作
|
|
SDGs 09.
|
工業化、創新及基礎建設：建立具有韌性的基礎建設，促進包容且永續的工業，並加速創新
|
|
|
課程目標 Learning Objectives
|
|
從工程應用常用的電子元件出發，討論電晶體電路、類比電路、數位電路、記憶體、放大器等電子學理論；使學生建立電子學理論及電子電路運算基礎，作為日後其他各種工程應用之重要領域的了解。
|
|
先修 ( 前置 ) 課程 Prerequisite
|
|
無
|
| 彈性教學規劃 Flexible Teaching/Planning Schedules |
|
|
|
課程大綱 Course Syllabus
|
| 週次 Week |
課程單元大綱 Unit |
教學方式 Instructional Method/Style/Teaching Style |
參考資料或相關作業 References or Related Materials |
評量方式 Grading |
|
1
|
Introduction to Electronics
|
https://meet.google.com/gnj-vhdb-hie
|
|
|
|
2
|
Devices and basic circuits:1.1-1.3
|
講述
|
|
作業撰寫
|
|
3
|
Devices and basic circuits:1.4-1.6
|
講述
|
|
作業撰寫
|
|
4
|
Devices and basic circuits:1.7-1.12
|
講述
|
|
作業撰寫
|
|
5
|
operational Amplifiers:2.1-2.2
|
講述
|
|
期中考-I
|
|
6
|
operational Amplifiers:2.3-2.5
|
講述
|
|
作業撰寫
|
|
7
|
operational Amplifiers:2.6-2.8
|
講述
|
|
作業撰寫
|
|
8
|
diodes:3.1-3.2
|
講述
|
|
期中考-II
|
|
9
|
diodes:3.3-3.3.4
|
講述
|
|
作業撰寫
|
|
10
|
diode:3.5-3.7
|
講述
|
|
作業撰寫
|
|
11
|
bipolar junction transistors (BJTs):4.1
|
講述
|
|
期中考-III
|
|
12
|
bipolar junction transistors (BJTs):4.2-4.4
|
講述
|
|
作業撰寫
|
|
13
|
bipolar junction transistors (BJTs):4.5-4.7
|
講述
|
|
作業撰寫
|
|
14
|
bipolar junction transistors (BJTs):4.8-4.9
|
講述
|
|
作業撰寫
|
|
15
|
MOS field-effect transistors(MOSFETs):5.1
|
講述
|
|
期中考-IV
|
|
16
|
MOS field-effect transistors(MOSFETs):5.2-5.5
|
講述
|
|
作業撰寫
|
|
17
|
MOS field-effect transistors(MOSFETs):5.6-5.9
|
講述
|
|
作業撰寫
|
|
單一課程對應校能力指標程度 The Degree to Which Single Course Corresponds to School Competence
|
| 編號 No. |
校核心能力 School Core Competencies |
符合程度 Degree of conformity |
|
單一課程對應系能力指標程度 The Degree to Which Single Course Corresponds to Department Competence
|
| 編號 No. |
類別 Category |
系核心能力 Department Core Competencies |
符合程度 Degree of conformity |
|
01
|
系所
|
運用數理、邏輯及基本電機之能力
|
0
|
|
02
|
系所
|
熟悉電機軟硬體專業技術之能力
|
0
|
|
03
|
系所
|
獨立思考、主動求知與研究創新之能力
|
0
|
|
04
|
系所
|
培養實作與分析實驗成果之能力
|
0
|
|
05
|
系所
|
理解社會責任與學術倫理之能力
|
0
|
|
06
|
系所
|
有效溝通表達與團隊合作之能力
|
0
|
|
07
|
系所
|
中英文語文及寫作之能力
|
0
|
|
08
|
系所
|
資訊蒐集、分析及彙整之能力
|
0
|
|
單一課程對應院能力指標程度 The Degree to Which Single Course Corresponds to College Competence
|
| 編號 No. |
院核心能力 College Core Competencies |
符合程度 Degree of conformity |
|
教科書或參考用書 Textbooks or Reference Books
|
|
館藏書名 Library Books
|
|
備註 Remarks
|
以power point及講義配合教科書及參考書授課
（四）評量方式：
二、主要讀本及參考書目
（一）主要讀本：
作者 書名 出版地點：出版社 出版年
Sedra/Smith, Microelectronic Circuits Oxford 8th 2021
（二）參考書目：
Boylestad Electronic Devices and Circuit Theory Pearson 9th 2006
|
※請尊重智慧財產權，不得非法影印教科書※
※ Please respect intellectual property rights and do not illegally photocopy textbooks. ※
|
教學方法 Teaching Method
|
|
教學方法 Teaching Method
|
百分比 Percentage
|
|
講述
|
80 %
|
|
問題導向學習
|
20 %
|
| 總和 Total |
100 % |
|
成績評量方式 Grading
|
| 評量方式 Grading |
百分比 Percentage |
|
期中考
|
60 %
|
|
期末考
|
30 %
|
|
出席狀況
|
10 %
|
| 總和 Total |
100 % |
|
成績評量方式補充說明
|
10% 出席率及上課表現及作業
30% 平時測驗
30% 期中測驗
30% 期末測驗
|
|
課程大綱補充資料 Supplementary Material of Course Syllabus
|
|
|
|